先上电路图，一个非常普通的方案。

LED恒流驱动电源电路" width="617" height="286" title="LED恒流驱动电源电路" align="" />

1. 高PF隔离LED驱动电源 的有源 PFC 及恒流原理

各种单级 APFC（有源 PFC）及 CC（恒流）的 LED 驱动IC(芯片)工作原理基本相同。

由于辅助绕组的电压波形在功率 MOS 管关断期间与输出电压成比例关系，因此 IC通过对辅助绕组的电压波形进行检测来对输出电流、电压进行间接检测。然后 COMP脚的外接补偿电容，对高开关频率的输出电流进行长程平均（滤波周期小于 10ms，也即是小于市电经过全桥整流后的 10ms 周期）。该长程平均值再与内部的参考电平进行比较，从而产生 PWM 控制波形对功率 MOS 管进行控制。从而达到恒流输出的目的。由于自带APFC IC 是采用平均电流模式来对输出电流进行恒流，因此高PF隔离LED驱动电源的恒流与输出电流、输入电压，输出电压均无关，同时也对变压器电感不敏感。

COMP 脚的补偿电容进行长程平均，因此 COMP 脚上的电压信号在一个正弦波周期内基本保持不变。而IC 内部正是通过 COMP 脚的电压来控制源边的开关导通时间。当输入市电的电压确定后，COMP 脚的平均电压就确定了，也即是开关导通时间确定了，因此源边的峰值电流就会跟随输入正弦波电压变化而变化（源边峰值电流： I_pk=Vin*sint* Ton / Lp ，式中 Lp 为源边电感，Ton 为导通时间。Lp 和 Ton 确定了，源边峰值电流就随着输入的正弦电压变化而变化）。这样源边电流就随着输入电压变化而变化，高 PF 值就达到了。从上面的说明可以看出，COMP 脚的补偿电容越大，系统的平均时间越长，则 COMP 脚的电压信号越稳定，即开关导通时间越恒定，就可以达到更高的 PF 值。但 COMP 电容越大，系统的环路响应也就越慢，同时，启动的时间也越长（因为 COMP 脚要花更长的时间达到稳定值）。因此 COMP 脚电容也不是越大越好，一般取值1uF，与几百Ω到1KΩ电阻串联效果会更好。

2. 线性调整率差或负载调整率差

（1） 如果变压器的空闲时间不够，会造成线性调整率差；尤其是LED驱动电源在 AC85V 输入时，测量 MOS 漏极波形在导通前的振铃信号的时间（即最小空闲时间），这段时间需要大于 2uS 或周期的 10%(具体根据IC规格书)；

（2） Comp 脚的电容过小，比如PF级或者几个nF；

（3） MOS 管栅极是否有二极管，二极管型号是否正确；

（4） 检查 MOS 管栅极的驱动二极管方向是否正确；如果方向错误，则会导致 Io 随 AC 电压的升高而升高，Io 可能变化 50mA 以上；

（5） 检查LED驱动电源的 PCB 排版，主要有以下几个方面：辅助供电电容和 CS 脚的缓冲电阻靠近芯片放置；芯片 FB 引脚与 GND 间的电容和电阻靠近芯片放置；变压器的“正”端（电压交变点）走线尽量短而粗，且远离芯片的 FB 脚和 CS脚，使其不受干扰；

（6） AC 输入端的串联阻抗大，如串联的差模电感、共模电感、热敏电阻等的阻抗太大；

（7） 辅助绕组是否夹绕在初次级之间；

（8） 变压器的干扰：如果变压器离 FB 脚走线和 CS 脚走线距离太近，则会干扰导通时间和周期；此时，应该在变压器安装完成后，再加一层外屏蔽铜箔，铜箔需要接初级 GND；

（9） MOS 管的 Rds_on 太大；

（10）MOS 管的 Ciss 太大；

（11）芯片的 FB引脚与芯片的 GND 引脚间电容值大于 33pF。

（12）同比例缩小或增大FB引脚的上拉、下拉电阻。

（13）CS引脚上串联一个电阻(几十到几百Ω)，增大或减小电阻值，可以改变线性调整率。

3. LED驱动电源输出电流偏低

（1）MOS 管漏极检流电阻的地与芯片的地之间的走线要短而宽；

（2）用示波器观察芯片的 CS 脚波形是否异常的尖脉冲干扰，如有，检查 PCB 走线；

（3）变压器绕制是否正确。

4. 高温或老化时输出电流下降，常温下正常

（1） 在高温时 MOS 管的导通电阻、导通电压会增大，在 120℃时会是常温 25℃的一倍，如果 MOS 管的质量不好，在 120℃时其导通电阻、导通电压会增大更多，影响输出电流；

（2） 变压器饱和：磁芯在高温的饱和磁通密度会下降，在设计变压器时最大饱和磁通密度 Bmax 的取值需小于 0.35，温度较高时取值应小于0.3；

（3） 输出二极管为肖特基二极管且散热不好；

（4） 使用劣质磁芯，劣质磁芯在高温时最大饱和磁通密度 Bmax 下降得过低，标准的磁芯此值在 100℃时为 0.39，在 120℃时为 0.35。

5. 不恒流(与问题2类似，只是更加严重)

（1）LED驱动电源 芯片 Comp 引脚的电容值太小；

（2） PCB 布线不好，Dsen 脚和 CS 脚受到干扰；

（3） 辅助绕组与次级绕组耦合不好，改善变压器绕法，使其两绕组紧挨着绕制，辅助绕组疏绕，最好多股细线并绕、平铺疏绕。

6. 开机烧 MOSFET

（1） MOS 管漏极的检流电阻计算是否合理；

（2） 变压器电感量是否合理、变压器内部绕组是否击穿；

（3） MOS 管栅极是否被拉高。

7. PF 值低

（1） 芯片的 Comp 脚电容值太小；

（2） 若只在高温时偏低或者LED驱动电源工作一段时间后功率因数值偏低，则此电容热稳定性差，请使用稳定性好的 NPO 或 X7R 系列瓷片电容。（提高功率因数值也会降低 THD 谐波失真）

8. 启动时间长 @ AC85V、输出有电解的方案中

Vcc 脚的启动电阻值给芯片供电电容的充电时间长导致；

（1） 减小 Vcc 脚的启动电阻值，但总电阻值不能低于 300kΩ；

（2） 减小电容芯片供电电容的容量，但也不能太小，要保证一次启动成功，一般可选 4.7uF～10uF 电解电容，或选 2.2uF～4.7uF 贴片电容。

（3） MOS 管的栅极 Ciss 电容大，需要启动电阻和 Vcc供电电容提供更多的能量，这种情况需加大 Vcc供电电容值

9. LED驱动电源效率偏低

（1） MOS 管栅极是否有二极管、是否正确；

（2） 输出电流波形低频纹波大，需加大输出电容量；

（3） 变压器是三明治绕法吗？；

（4）AC 输入端的串联阻抗大，如串联的差模电感、共模电感、热敏电阻等的阻抗太大；

（5） 次级整流二极管是否为低压降的快恢复型；

（6） MOS 管的导通电阻 Rds_on 太大；

（7） 初级绕组吸收电路电阻值小、电容值大；

（8）变压器感量太小，导致驱动工作频率太高。

（9）MOS的D、S吸收电容是否过大，建议不超过47pF。

10. 开路限压

FB 脚两电阻的比值大会导致开路输出电压高；如果比值太小，不能兼容最高输出电压，同时如果输出使用延时时间比较长的电子负载时，在电子负载还没有正式进入正常工作状态电源会进入开路保护模式；

11. LED驱动电源短路保护功能失效

（1） FB脚两电阻的比值过小

（2） 芯片的 FB 引脚与芯片的 GND 引脚间的信号受到其它信号的干扰，使其在输出短路的情况下，FB 脚检测的电压高于 200mV，请检查 PCB 走线

（3） 芯片的 FB 引脚与芯片的 GND 引脚间电容有，且不小于 22pF，且靠近芯片放置，此电容不能太大，一般取值 22pF

（4） 在高温时短路保护功能失效，检查芯片的 FB 引脚与芯片的 GND 引脚间电容值是 22pF 是否是热稳定性好的 NPO 或者 X7R 类型

12. 开机后输出一闪而过或很小

（1）变压器的几个绕组同名端是否正确；

（2）输出二极管、电解是否插反。

（3）Vcc供电二极管方向是否正确；

（4）Ovp是否保护了；

（5）检查其他元器件和线路。

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